자일링스, 16nm 울트라스케일+ 발표 자일링스, 16nm 울트라스케일+ 발표
이예지 2015-03-19 10:08:58

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자일링스, 16nm 울트라스케일+ 발표

LTE-A 및 차세대 5G 이동통신, 테라비트 유선 통신, 오토모티브 ADAS, 산업용 IoT 포함하는 새로운 울트라스케일+ FPGA 및 SoC, 3D IC 애플리케이션 선보여


자일링스 코리아가 지난 2월 4일, 기자간담회를 개최하고, 16nm 울트라스케일+(UltraScale +) 제품군을 발표했다.

행사를 위해 방한한 빈센트 통(Vincent Tong) 자일링스 글로벌 오퍼레이션 및 품질 담당 수석 부사장 및 APAC 임원 리더는 이 새로운 16nm 제품군은 자사의 FPGA, 3D IC 및 멀티 프로세싱 SoC(MPSoC)에 새로운 메모리, 3D-on-3D 및 MPSoC 기술을 결합한 것으로, 새로운 인터커넥트 최적화 기술인 스마트커넥트(SmartConnect)가 포함되어 있다고 말했다. 이 새로운 제품군은 28nm 디바이스에서 2~5배 더 큰 시스템 레벨의 와트 당 성능을 제공하며, 기존의 프로세스 노드 이동을 뛰어넘는 가치와 시스템 통합, 높은 레벨의 보안과 안전을 실현하는 것이 특징.

새롭게 확장된 자일링스의 울트라스케일+ FPGA 포트폴리오는 LTE-A 및 5G 이동통신, 테라비트 유선 통신, 오토모티브 ADAS, 산업용 IoT 애플리케이션까지 폭넓은 범위를 커버한다.

 

           <취재 최교식 기자 cks@engnews.co.kr>

 

자일링스가 자사의 FPGA, 3D IC 및 멀티 프로세싱 SoC(MPSoC)에 새로운 메모리, 3D-on-3D 및 MPSoC 기술을 결합한 한 세대를 앞서는 16nm 울트라스케일+(UltraScale +) 제품군을 발표했다. 최고 수준의 성능과 통합한 울트라스케일+ 제품군은 새로운 인터커넥트 최적화 기술인 스마트커넥트(SmartConnect)가 포함되어 있다.

자일링스 울트라스케일 포트폴리오는 20nm 및 16nm FPGA와 SoC, 3D IC 디바이스까지 확장됐으며, 와트 당 성능을 크게 상승시킨 TSMC의 16FF+ FinFET 3D 트랜지스터를 활용하고 있다.

시스템 레벨에 최적화된 울트라스케일+는 28nm 디바이스에서 2~5배 더 큰 시스템 레벨의 와트 당 성능을 제공하며, 기존의 프로세스 노드 이동을 뛰어넘는 가치와 시스템 통합, 높은 레벨의 보안과 안전을 실현한다.

새롭게 확장된 자일링스의 울트라스케일+ FPGA 포트폴리오는 자일링스의 킨텍스 울트라스케일+(Kintex UltraScale+) FPGA와 버텍스 울트라스케일+(Virtex UltraScale+) FPGA, 3D IC 제품군으로 구성되어 있으며, 징크 울트라스케일+(Zynq UltraScale+) 제품군에는 산업 최초의 올 프로그래머블 MPSoC가 포함되어 있다. 이 포트폴리오는 LTE-A 및 5G 이동통신, 테라비트 유선 통신, 오토모티브 ADAS, 산업용 IoT 애플리케이션까지 폭넓은 범위를 다루고 있다.

UltraRAM은 SRAM 통합을 가능하게 함으로써, FPGA 및 SoC 기반 시스템의 성능 및 전력의 가장 큰 장애물 중 하나를 해결하고 있다. 이 새로운 기술로 딥 패킷과 비디오 버퍼링 등 여러 가지 예제에서 대용량의 온칩 메모리를 만들어 예상 가능한 지연시간과 성능을 제공할 수 있다. 관련 프로세싱 엔진에 가까운 많은 양의 임베디드 메모리를 만들어냄으로써, 디자이너는 더욱 확장된 와트 당 성능 및 BOM 비용 절감을 달성할 수 있다. 또한 UltraRAM은 다양해진 구성으로 최대 432Mbit까지 확장된다.

스마트커넥트는 FPGA를 위한 새롭고 혁신적인 인터커넥트 최적화 기술로서, 이 기술은 지능형 시스템 전체 인터커텍트 최적화로 성능 및 면적, 전력에서 20~30%정도 앞선다. 울트라스케일(UltraScale) 아키텍처가 다시 디자인된 라우팅과 클로깅, 로직 패브릭을 통해 실리콘 레벨의 인터커텍트 장애를 해결한다면, 스마트인터커넥트는 인터커넥트 최적화를 적용하여 디자인별 처리량 및 지연시간 요건을 만족하면서 인터커텍트 로직 면적을 감소시킨다. 

울트라스케일+ 포트폴리오는 3D 트랜지스터와 자일링스의 3D IC 3세대를 결합하여 보다 효과적이다. FinFET 만으로도 평면형 트렌지스터 대비 획기적인 와트 당 성능 향상이 가능하고, 3D IC는 모놀리식 디바이스 대비 시스템 통합 및 와트 당 대역폭에 있어서 획기적인 향상이 가능하다.

 


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